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[发明专利]硅外延片的预处理方法-CN202310686308.5在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片的预处理方法。该方法包括：对硅外延片进行清洗、漂洗及甩干处理，以去除硅外延片表面的自然氧化层及杂质残留，得到干燥的第一硅外延片；将第一硅外延片置于退火炉腔体中进行退火处理，并在退火处理的温度稳定阶段，对第一硅外延片进行氧化处理，以在退火处理后得到第二硅外延片；对第二硅外延片进行冷却处理，得到目标硅外延片，以基于目标硅外延片进行电阻率测试。本发明能够有效提升对硅外延片的处理效率和处理工艺精度，从而为后续对硅外延片进行电阻率测试提供高质量的硅外延片元件，进而有效提高硅外延片的电阻率测试的效率和精度。
外延预处理方法

[发明专利]硅外延片的制备方法及硅外延片-CN202310685932.3在审
发明人：郭艳敏;王楠;赵堃;莫宇 -专利权人：中电科先进材料技术创新有限公司
申请日： 2023-06-09 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅外延片的制备方法及硅外延片。上述硅外延片的制备方法包括：将硅基板布置于腔体中，腔体持续通入恒定流量的载气，腔体压力恒定；在腔体内对硅基板进行至少两次外延生长，制备得到具有平坦化的硅外延层的硅外延片；对硅外延片进行一次吹扫及降温。本发明无需进行化学机械抛光，仅需在制备外延层时进行至少两次沉积，就可以获得平坦化的硅外延片，步骤简单，操作便宜，有效降低了硅外延片的制造难度及成本。
外延制备方法

[发明专利]一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法-CN202210931167.4在审
发明人：李明达;李杨;郭宝琛;朱建国;赵聪;秦涛 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2022-08-04 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高大尺寸厚膜硅外延片晶体质量的制备方法，通过综合设计硅外延片所用硅衬底片放置区域的径向温度梯度差值、硅外延层生长温度、硅外延层生长前的排空时间、硅外延层生长速率、石墨基座的平整度和硅外延层生长时的石墨基座的旋转速度等参数，在工艺简单、可批量重复的情况下提高了大尺寸厚膜硅外延片的晶体质量，避免了硅外延片边缘崩边、裂片、碎片的问题，可应用于直径150~200mm，硅外延层厚度高于100μm的大尺寸厚膜硅外延片的工业化批量生产
一种提高尺寸厚膜硅外延晶体质量制备方法

[发明专利]一种多晶硅通孔的制造方法-CN201210391007.1有效
发明人：刘继全 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2012-10-15 - 公布日： 2014-04-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种多晶硅通孔的制造方法，包括如下步骤：1）在硅衬底上依次生长硅外延和介质层；2）在硅衬底或硅外延上刻蚀出沟槽；3）在沟槽侧壁生长一层具有压应力的SiGe外延层；4）用多晶硅填充沟槽；5）依次去除硅外延上的多晶硅、SiGe外延层和介质层。本发明可以防止因应力过大在硅衬底和硅外延内产生的缺陷，以获得硅外延层内无晶格缺陷的多晶硅通孔。
一种多晶硅通孔制造方法

[发明专利]一种硅反外延片的制备方法-CN202011573642.2有效
发明人：李杨;傅颖洁;李明达;薛兵;唐发俊 -专利权人：中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-12-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅反外延片的制备方法，反应腔体内通入氯化氢气体；将直筒式石墨基座表面沉积一层无掺杂致密多晶硅；向反应腔体内直筒式石墨基座上装入硅衬底片；磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在硅衬底片上进行第一层硅外延层生长；第一层硅外延层生长完成后，磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在第一层硅外延层上进行第二层硅外延层生长；第二层硅外延层生长完成后，磷烷气体进入反应腔体，使磷烷气体充满反应腔体；在第二层硅外延层上进行第三层硅外延层生长；第三层硅外延层生长完成后得到硅反外延片。本方法显著提升了硅外延片的硅外延层掺杂浓度一个数量级，硅外延层厚度达到250~260μm的超厚状态。
一种外延制备方法

[发明专利]硅锗外延层的形成方法-CN201010566044.2有效
发明人：何有丰 -专利权人：中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2010-11-29 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提供一种硅锗外延层的形成方法，包括：提供形成有栅极的硅衬底；在位于所述栅极两侧衬底内形成开口；对所述开口进行第一退火工艺；在所述开口内形成硅锗外延层；至少分两步形成所述硅锗外延层，且至少有一步形成硅锗外延层后进行退火工艺本发明首先形成在衬底内的开口进行退火，并在所述开口内形成硅锗外延层，至少分两步形成所述硅锗外延层，且至少有一步形成硅锗外延层后进行退火工艺，可以去除在生长硅锗外延层环境引入的杂质或水分，以改善后续的硅锗外延层生长环境以解决硅锗外延层内的空隙，避免因空隙释放应力，使得所述硅锗外延层不能提供PMOS晶体管所需要的压应力。
外延形成方法

[发明专利]蓝宝石硅上的液晶显示器以其制造方法-CN99805743.6无效
发明人：兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德 -专利权人：兰迪·L·希马布库罗;斯蒂芬·D·拉塞尔;布鲁斯·W·奥福德
申请日： 1999-03-24 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：在蓝宝石硅结构上单片形成液晶阵列和相关驱动电路，并所说制造方法包括以下步骤：a)在蓝宝石基板上形成外延硅层，从而形成蓝宝石硅结构；b)离子注入外延硅层；c)退火蓝宝石硅结构；d)氧化外延硅层，由部分外延硅层形成二氧化硅层，留下减薄的外延硅层；e)去掉所说二氧化硅层，暴露减薄的外延硅层；f)用减薄的外延硅层制造像素阵列，其中每个像素包括一个液晶电容器；g)由减薄的外延硅层制造工作上耦合成调节各像素的集成电路。减薄的外延硅支持在蓝宝石硅结构上制造用于控制像素工作的器件质量电路。
蓝宝石液晶显示器以其制造方法

[发明专利]改善外延硅片边缘平坦度的方法-CN201710868142.3在审
发明人：王华杰;林志鑫;王燕;季文明;保罗·邦凡蒂;廖志皓 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-09-22 - 公布日： 2019-03-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种改善外延硅片边缘平坦度的方法，包括如下步骤：1）提供一硅晶片；2）将所述硅晶片置于外延设备的反应腔室内；3）于预设外延温度下向所述反应腔室内通入反应气体，以在所述硅晶片的表面形成外延单晶硅薄膜，其中，位于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增。本发明的通过在外延过程中控制外延形成于所述硅晶片边缘区域的所述外延单晶硅薄膜的厚度自靠近所述硅晶片中心的一侧至所述硅晶片的边缘逐渐递增，可以补偿外延前硅晶片边缘区域厚度减薄现象，从而使得最终得到的外延硅片的表面具有较高的边缘平坦度
硅晶片硅晶片边缘外延单晶硅外延硅片平坦度薄膜反应腔递增室内表面形成反应气体厚度减薄外延过程外延设备预设

[发明专利]用于填充沟槽的硅外延方法-CN200910057077.1无效
发明人：刘继全;谢烜;张宏伟;缪燕 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2010-10-20 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于填充沟槽的硅外延方法，在有硬掩膜的硅外延层上刻蚀形成沟槽之后，采用如下工艺参数进行硅外延生长填充所述沟槽：采用二氯二氢硅作为硅外延生长的硅源，外延腔体内的工艺温度为800℃-950℃，外延时在所述外延腔体内加入流量为50-600sccm氯化氢气体。本发明的硅外延方法，可用于填充高深宽比的沟槽以形成没有空洞的填充效果。
用于填充沟槽外延方法

[发明专利]一种改善硅外延片翘曲度的方法-CN201210202949.0无效
发明人：赵丽霞;高国智 -专利权人：河北普兴电子科技股份有限公司
申请日： 2012-06-19 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善硅外延片翘曲度的方法，属于硅外延片技术领域。其包括下述步骤：（1）准备硅外延片：制取新的硅外延片或取需修复的硅外延片；（2）退火：将准备的硅外延片放入反应室，在650-1050℃下保温10-30min；用10-15分钟降温至≤300℃，将硅外延片取出反应室本发明的方法可以使翘曲度(WARP)不合格的硅外延片进行退火处理后成为合格品，而且可与外延工艺兼容，有效的改善硅外延片的翘曲度，大大提高了成品的精度及合格率，可变废为宝，成本低，效率高。
一种改善外延曲度方法

[发明专利]低应力的外延硅晶片-CN201310216652.4有效
发明人：林文;邱恒德 -专利权人：合晶科技股份有限公司
申请日： 2013-06-03 - 公布日： 2017-04-12 - 主分类号： H01L29/167 文献下载
摘要：一种低应力的外延硅晶片包含硅衬底、形成于硅衬底上的第一硅外延层，以及形成于第一硅外延层上的第二硅外延层。硅衬底含有选自硼或磷的掺杂剂，且掺杂剂浓度为100X at%。第一硅外延层含有硅衬底的掺杂剂与锗且具有相反的第一、二侧部，第一侧部邻近硅衬底，所述掺杂剂浓度实质等于硅衬底中掺杂剂的浓度，所述锗浓度自第一侧部朝第二侧部由0at%递增至100Y at%。第二硅外延层含有第一硅外延层的掺杂剂与锗，且掺杂剂的浓度实质等于第一硅外延层中掺杂剂的浓度，锗的浓度实质等于第一硅外延层的第二侧部中锗的浓度。
应力外延晶片

[发明专利]一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法-CN202010341318.1有效
发明人：唐发俊;李明达;王楠;赵扬 -专利权人：中国电子科技集团公司第四十六研究所;中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请日： 2020-04-27 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：一种降低图形漂移率的厚层硅外延片的制备方法，在高温下硅外延炉石英腔体对基座上残余沉积物质进行刻蚀；向基座上装入表面带有图形的硅衬底片；对硅衬底片的表面进行高温烘焙；通入氯化氢气体对硅衬底片表面气抛；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；携带气态三氯氢硅进入硅外延炉石英腔体，进行硅外延层的生长；通入主工艺氢气对硅外延炉石英腔体吹扫；继续进行硅外延层的生长；硅外延层生长完成后从基座上取出，形成表面带有图形的硅衬底片，硅外延层的厚度5点均值为11.5~12.5µm，硅外延层的掺杂层电阻率5点均值为1.85~2.15Ω·cm；本方法与现有工艺兼容，不需要增加额外的工艺开发和气体置换成本。
一种降低图形漂移厚层硅外延制备方法

[发明专利]外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法-CN201780061762.4在审
发明人：古谷和也;小野敏昭;鸟越和尚 -专利权人：胜高股份有限公司
申请日： 2017-09-12 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本发明提供一种外延硅晶片及外延硅晶片的制造方法。所述外延硅晶片的制造方法具备：外延膜形成工序，在三氯硅烷气体环境下，在硅晶片的表面形成由硅构成的外延膜；以及氮浓度设定工序，在氮气环境下，对在外延膜形成工序中形成了外延膜的硅晶片进行热处理而在外延膜上形成氮化膜，并利用该氮化膜的向内扩散来设定外延膜表面的氮浓度。
外延硅晶片外延膜形成工序氮化膜硅晶片制造外延膜表面热处理表面形成氮气环境浓度设定气体环境三氯硅烷向内扩散

[发明专利]改善硅外延生长中离子注入硼元素扩散的工艺-CN201710733222.8有效
发明人：何佳;刘藩东;吴林春;张若芳;王鹏;夏志良;霍宗亮 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2017-08-24 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/225 文献下载
摘要：本发明提供了一种3D NAND闪存结构中改善硅外延生长中离子注入硼元素扩散的工艺，通过采用含有F和/或Cl的气体对硅外延生长的硅槽界面进行等离子体处理，能够有效将硅外延生长界面的单晶硅破坏进而转化为非晶硅，而非晶硅界面的硅外延生长速度要比单晶硅界面的硅外延生长速度慢，从而有利于形成硅外延层与衬底之间的空位(Void)；形成的空位(Void)成为了硼元素界面扩散的屏障(Barrier)，有效阻挡了离子注入掺杂的硼元素从硅外延层扩散至硅衬底，从而提高了硅外延层的阈值电压(Vt)特性，进而最终提高了3D NAND闪存的整体性能。
改善外延生长离子注入元素扩散工艺

[发明专利]单片单晶硅微机械加工的电容式压力传感器-CN200510092880.0无效
发明人：涂相征;李韫言 -专利权人：李韫言
申请日： 2005-08-25 - 公布日： 2007-02-28 - 主分类号： G01L9/12 文献下载
摘要：一种微机械加工的电容式压力传感器，其结构主要包括：单晶硅衬底；处于单晶硅衬底表面，起电容器弹性电极作用的外延单晶硅层；处于单晶硅衬底边缘表面的外延单晶硅框架；覆盖外延单晶硅框架表面的介质薄膜；由外延单晶硅框架支持，起电容器固定电极作用的外延单晶硅层；由外延单晶硅框架所围绕，处于两外延单晶硅层之间的空洞夹层。传感器的制造采用多孔硅选择性形成，多孔硅上外延生长，以及多孔硅选择性腐蚀等技术。由于器件为全单晶硅结构，器件性能可以得到很大改进，制造成本也能大幅度降低。
单片单晶硅微机加工电容压力传感器

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